ARDUİNO
ARDUİNO PROJE SETLERİ
ROBOT ÜRÜNLERİ
STEM EĞİTİM ÜRÜNLERİ
Yüksek gerilim seviyelerinde çalışan sinyal işleme ve anahtarlama katları için tasarlanan 2N5401 Transistör, PNP yapısında bir silikon epitaksiyel düzlemsel bileşendir. 150 Volt'luk kollektör-emitör gerilim dayanımı ($V_{CEO}$), bu ürünü standart düşük voltaj transistörlerinin güvenli çalışma sınırlarını aştığı video çıkış katları, yüksek voltajlı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol üniteleri için ideal hale getirir. Ecem Bilgisayar ürün portföyünde yer alan bu bileşen, kompakt TO-92 kılıf yapısı ile PCB üzerinde alan tasarrufu sağlarken, geniş bant genişliği ve düşük gürültü karakteristiği sayesinde analog sinyal yükseltme projelerinde kararlı bir performans sergiler. NPN eşleniği olan 2N5551 ile birlikte simetrik amplifikatör tasarımlarında tam uyum içerisinde kullanılabilir.
| Transistör Tipi | PNP (Silikon) |
| Kollektör-Emitör Gerilimi (VCEO) | -150 Volt |
| Sürekli Kollektör Akımı (IC) | -600 mA |
| Akım Kazancı (hFE) | 60 - 240 (Yüke Bağlı) |
| Toplam Güç Dağılımı (PD) | 625 mW |
| Kılıf Tipi | TO-92 (DIP) |
2N5401 PNP yapısındadır, 2N5551 ise onun NPN eşleniğidir (complementary). Her iki transistör de 150V-160V civarında yüksek gerilim dayanımına sahiptir. Ses amplifikatörlerinin çıkış katlarında veya simetrik güç kaynaklarında beraber kullanılırlar.
Hayır, yüksek gerilim dayanımı bir üst limit değeridir. 12V veya 24V gibi düşük voltajlı devrelerde kullanılmasında teknik bir engel yoktur; aksine gerilim sıçramalarına karşı ek bir koruma bariyeri sağlar.
2N5401, 600mA kollektör akımı ile piyasadaki standart hobi ve endüstriyel rölelerin büyük bir kısmını sürmek için yeterli kapasiteye sahiptir. Ancak sürekli yüksek akım çekilen durumlarda transistörün ısınma seviyesi kontrol edilmeli ve PD (güç dağılımı) sınırları içinde kalınmalıdır.
